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基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法

摘要

本发明名称为“基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法”。一般地提供了碲化镉薄膜光伏器件10。器件10能包括衬底12,衬底12上的透明传导氧化层14;透明传导氧化层14上的电阻透明缓冲层16;电阻透明缓冲层16上的硫化镉层18;硫化镉层18上的碲化镉层20;以及,碲化镉层20上的背接触层22。硫化镉层18能包括大于0%到约20%的摩尔百分比中的氧。在一个具体实施例中,基本没有氧的第二硫化镉层19能位于硫化镉层18和碲化镉层20之间。还一般地提供了在衬底12上沉积硫化镉层18的方法和制造碲化镉薄膜光伏器件10的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102237418B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 初星太阳能公司;

    申请/专利号CN201110159219.2

  • 申请日2011-04-29

  • 分类号H01L31/0296(20060101);H01L31/073(20120101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人柯广华;朱海煜

  • 地址 美国科罗拉多州

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0296 授权公告日:20160316 终止日期:20180429 申请日:20110429

    专利权的终止

  • 2016-03-16

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0296 申请日:20110429

    实质审查的生效

  • 2011-11-09

    公开

    公开

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