可控制多晶硅生长方向的多晶硅制作方法

摘要

本发明提供一种可控制多晶硅生长方向的多晶硅制作方法，包括以下步骤：步骤1、在基板（10）上沉积形成第一缓冲层（20）；步骤2、通过光罩制程在该第一缓冲层（20）的表面上形成类透镜结构（22）；步骤3、在表面形成有类透镜结构（22）的第一缓冲层（20）上沉积形成非晶硅层（40）；步骤4、对非晶硅层（40）进行清洗；步骤5、采用强光（50）从基板（10）侧照射非晶硅层（40），以使非晶硅层（40）底部产生籽晶；步骤6、对产生有籽晶的非晶硅层（40）进行激光退火处理，以使非晶硅层（40）中的非晶硅结晶形成多晶硅层（70）。本发明可以控制多晶硅的生长方向。