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一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法

摘要

本发明公开了一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法,包括放置籽晶、装料、抽真空、启动氦气、加热化料、晶体生长、降温退火、检测及处理等步骤;本发明将目前使用的直径260mm坩埚增大至直径285mm坩埚,无需变动原热场,对长晶参数进行优化,投料量从37kg增加至60kg,从而提高了生产效率,降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103215632B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州海铂晶体有限公司;

    申请/专利号CN201310113549.7

  • 发明设计人 许海波;刘海滨;娄中士;姚亮;

    申请日2013-04-02

  • 分类号

  • 代理机构北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人巩克栋

  • 地址 215437 江苏省苏州市太仓市沙溪镇岳王台南路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B11/00 授权公告日:20160224 终止日期:20170402 申请日:20130402

    专利权的终止

  • 2016-02-24

    授权

    授权

  • 2013-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20130402

    实质审查的生效

  • 2013-07-24

    公开

    公开

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