对三维半导体组件边缘修整的方法及形成相应组件的方法

摘要

本申请公开了一种对三维半导体组件进行边缘修整的方法，包括提供基底，基底上包括多个堆栈层，且基底中包括多个穿基底插塞(through？substrate？via，TSV)，其中基底的边缘是弧形；对基底的弧形边缘进行边缘修整步骤，以得到平坦的边缘；以及对基底进行薄化步骤，以暴露上述穿基底插塞。