复式多量子阱发光层结构的生长方法及LED外延结构

摘要

本发明提供了一种复式多量子阱发光层结构的生长方法及相应的LED外延结构，所述外延结构的阱发光层包括6-8个单元层，每一单元层从下至上依次包括：第一阱层、第二阱层、第一磊层、第一阱层、第二阱层、第二磊层。本发明采用复式多量子阱改善了传统多量子阱由于阱磊层应力导致的波函数分离的情况，改善了传统多量子阱由于磊宽导致阱层空穴浓度过低的情况；提升了LED芯片的内部量子阱效率得到，宏观上提高中小尺寸Led芯片的亮度，提高大尺寸Led芯片的光效。