公开/公告号CN103632950B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-10
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210297570.2
申请日2012-08-20
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人高月红
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:35:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-10
授权
授权
2014-04-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20120820
实质审查的生效
2014-03-12
公开
公开
机译: 具有由多晶硅膜形成的栅电极的mos晶体管的制造方法
机译: 自行调整并积极进行缩放的CMOS器件中的CMOS结构和栅电极的金属/金属氮化物双层的半导体结构
机译: 用多晶硅和金属硅化物的双重双层构成的带有栅电极的含P和N沟道MOS晶体管的高集成电路的制造方法。