双栅极横向MOSFET

摘要

双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET进一步包括邻近源极区形成的第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。