形成MEMS热电堆探测器空腔结构的体硅微加工方法

摘要

本发明提供一种形成MEMS热电堆探测器空腔结构的体硅微加工方法，包括：提供硅基底，在硅基底上热氧化生长二氧化硅膜，在二氧化硅膜上形成热电堆区域和红外吸收区域。热电堆区域上靠近红外吸收区域的一端为热结区，远离红外吸收区域的另一端为冷结区。在热电堆结构层上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜结构，在复合膜上光刻腐蚀开口。通过腐蚀窗口形成热电堆结构的释放通道。通过释放通道，采用各向同性腐蚀方法腐蚀体硅表面浅层，以形成体硅浅层的薄型空腔；采用各向异性腐蚀方法腐蚀薄型空腔下方的体硅深层，形成规则平滑的梯形空腔结构，最终就形成了体硅内的空腔结构。本方法所形成的空腔结构内表面规则光滑，结构对称性好。