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背栅式离子敏感场效应晶体管

摘要

背栅式离子敏感场效应晶体管,属于半导体器件技术领域,涉及半导体生物传感器。包括衬底材料、位于衬底材料正面的半导体沟道层材料、半导体沟道层材料正面的两个上电极(源极和漏极);源极和漏极之间的半导体沟道层材料形成器件沟道区,与沟道区背面接触的衬底材料减薄形成栅介质,栅介质背面具有对生物检测对象敏感的感应层或媒介层。本发明将常规离子敏感场效应晶体管的信号面与检测面分立于器件两面,减少了信号电场对被检测生物对象的影响,从而提高了检测灵敏度。同时,结合高迁移率半导体薄膜材料制作的沟道区,使得本发明具有更高灵敏度和更高检测通量,双面加工工艺及器件层数的减少,有利于实现小型化,易于集成,易于实现检测阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN103822953B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201410060640.1

  • 发明设计人 贾泽;吴肖;陆岠;葛学彩;刘俊杰;

    申请日2014-02-24

  • 分类号G01N27/414(20060101);

  • 代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李顺德;王睿

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N27/414 授权公告日:20160203 终止日期:20170224 申请日:20140224

    专利权的终止

  • 2016-02-03

    授权

    授权

  • 2014-06-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/414 申请日:20140224

    实质审查的生效

  • 2014-05-28

    公开

    公开

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