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用于将转换介质施加到光电子半导体芯片上的方法以及光电子器件

摘要

在方法的至少一个实施方式中,所述方法用于将转换介质(3)施加到光电子半导体芯片(2)上。所述方法包括下述步骤:提供光电子半导体芯片(2);提供所述转换介质(3),其中所述转换介质(2)安置在载体(4)上;设置所述转换介质(3),使得其具有到所述半导体芯片(2)>0的距离(D);以及借助于用脉冲激光辐射(6)辐射和加热所述转换介质(3)的吸收组分(36)和/或位于所述转换介质(3)和所述载体(4)之间的剥离层(56),使所述转换介质(3)从所述载体(4)处剥离并且将其施加到所述半导体芯片(2)上,所述脉冲激光辐射穿过所述载体(4)。

著录项

  • 公开/公告号CN103098244B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 欧司朗光电半导体有限公司;

    申请/专利号CN201180043749.9

  • 发明设计人 拉尔夫·瓦格纳;

    申请日2011-09-06

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人张春水

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/50 申请日:20110906

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    公开

    公开

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