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背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法

摘要

一种背照式图像传感器及降低背照式图像传感器暗电流的方法,所述背照式图像传感器包括:光电二极管;第一导电类型隔离层;传输管的栅极结构,对应于所述第一导电类型隔离层形成于所述第一导电类型半导体衬底的上表面;所述栅极结构包含:栅氧化层、栅极层和栅极侧墙;所述栅极结构对应覆盖所述光电二极管;浮置扩散区,形成于所述第一导电类型半导体衬底内,具有第二导电类型重掺杂。所述背照式图像传感器中,光电二极管正上方的第一导电类型半导体衬底表面不易出现缺陷,从而有效防止暗电流的产生。

著录项

  • 公开/公告号CN103441133B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格科微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201310391338.X

  • 发明设计人 李文强;赵立新;李杰;徐泽;

    申请日2013-08-30

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11F

  • 入库时间 2022-08-23 09:34:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    授权

    授权

  • 2014-01-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20130830

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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