用高介电系数膜的表面(横向)耐压结构

摘要

本发明提出一种用高介电系数薄膜覆盖于半导体表面作为实现最佳横向变通量的方法或辅助方法。此高介电系数的膜可以在半导体表面引入电通量，也可以在半导体表面取出电通量，也可以在一部分取出电通量而在另一部分引入电通量。利用最佳横向变通量可以制造横向高压器件，并可作为纵向高压器件的结边缘技术，又可防止在覆盖异位补偿杂质层的边界上强电场的产生。还可作为电通量进入衬底只占总通量极少部分时实现最佳横向变通量以制作器件的方法。