采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法

摘要

本发明是采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法，包括工艺步骤：1）将硅片按照所需要的图形刻蚀穿通，制作好硅片掩膜版；2）将待沉积薄膜的基片与硅片掩膜版固定，其中包括控制基片与硅片掩膜版之间的间距，以及基片与硅片掩膜版之间的图形对准；3）沉积薄膜层；4）基片与硅片掩膜版分离，并清洗硅片掩膜版用于重复使用。优点：即通过改变硅片与待沉积薄膜的基片之间的距离以及使用不同厚度和不同通孔形貌的硅片，可改变所沉积材料的粒子在沉积过程中的分布情况，从而改变最终得到的薄膜图形的横截面形貌。工艺简单成本低廉，可重复利用，当进一步生长的薄膜上层材料与薄膜下层材料需要较好的晶格匹配时，本方法显示出了突出的优势。