使用等离子体增强氧化钝化的硅蚀刻

摘要

提供了通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻硅层的方法和装置。所述硅层放置于蚀刻室中。提供包括含氟气体和含氧、氢气体的蚀刻气体进入所述蚀刻室。由所述蚀刻气体产生等离子体，使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层中。然后停止所述蚀刻气体。所述等离子体可含有OH自由基。