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一种基于CVD法合成的单根纳米线热导率的测量方法

摘要

本发明涉及一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法;属于材料导热性能测量技术领域。本发明取一根采用CVD法于T

著录项

  • 公开/公告号CN103913482B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南大学;

    申请/专利号CN201410119104.4

  • 发明设计人 潘安练;任品云;朱小莉;

    申请日2014-03-27

  • 分类号

  • 代理机构长沙市融智专利事务所;

  • 代理人颜勇

  • 地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-20

    授权

    授权

  • 2014-08-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/20 申请日:20140327

    实质审查的生效

  • 2014-07-09

    公开

    公开

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