利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程

摘要

使用下述编程技术来收窄非易失性存储器装置（196）中的阈值电压分布（A、B、C），并且/或者减少编程时间，在该编程技术中：以与编程电压的逐步增加步伐一致的方式，逐步增加具有目标数据状态（402、404、406）的存储元件的位线电压。对于存储元件的不同子集，根据其目标数据状态（402、404、406），在编程通过中的不同时间执行位线电压的逐步增加。可以基于固定的编程脉冲编号或适应性地基于编程处理来设置位线电压（Vbc）的逐步增加的开始和结束。变型包括使用固定的位线步、变化的位线步、依赖数据状态的位线步、针对一个或更多个数据状态不逐步增加位线的选项、以及增加附加的位线偏压的选项。