非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法。在所述非易失性存储器件中层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。根据本发明，能够抑制由于焦耳热导致的所述信息存储层的温度上升，因此能够抑制读干扰现象的发生。