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使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法

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摘要

本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-20

授权

授权
2013-05-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20110214

实质审查的生效
2012-12-05

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20121105 申请日:20110214

专利申请权、专利权的转移
2011-10-12

公开

公开

1. 使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN102214556B . 2016.01.20
2. 使硅层结晶的方法和制造薄膜晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN102290335B . 2015.11.25
3. THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A SEMICONDUCTOR LAYER CRYSTALLIZING AN AMORPHOUS SILICON LAYER BY APPLYING ELECTRIC FIELD, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20100003935A . 2010-01-12

机译：薄膜晶体管，包括通过施加电场使非晶硅层结晶化的半导体层，其制造方法以及包括该层的有机发光显示装置
4. Methods of crystalizing amorphous silicon layer and fabricating thin film transistors using the same [P] . 英国专利： GB2338598B . 2001-01-17

机译：使非晶硅层结晶的方法以及使用该方法制造薄膜晶体管的方法
5. Methods of crystalizing amorphous silicon layer and fabricating thin film transistors using the same [P] . 英国专利： GB9913340D0 . 1999-08-11

机译：使非晶硅层结晶的方法以及使用该方法制造薄膜晶体管的方法