绝缘层有硅的低电压触发硅控整流器及静电放电防护电路

摘要

一种绝缘层上有硅的低电压触发硅控整流器结构，架构于衬底与绝缘层之上。多个隔离结构位于绝缘层上。第一与第二型阱区彼此相连。第一与第二栅极结构分别位于第一与第二型阱区之上。于前述的第一型阱中还包括第一第二型离子植入区，第一第二型离子植入区与第一第一型离子植入区构成绝缘层有硅的硅控整流器结构的阳极。第二第一型离子植入区位于第一型阱区中，且位于第一第二型离子植入区与第一栅极结构之间。第三第一型离子植入区位于第一与第二型阱区中，并位于第一与第二栅极结构之间。前述的第二型阱区，还包括第二第二型离子植入区与第四第一型离子植入区，第二第二型离子植入区与第四第一型离子植入区构成绝缘层有硅的硅控整流器结构的阴极。