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使用基底触发硅控整流器的静电放电防护电路

摘要

一种使用基底触发硅控整流器的静电放电防护电路,电连接于一输入/输出缓冲垫、一内部电路、一VSS电源接脚以及一VDD电源接脚,该ESD防护电路包含有:一第一ESD侦测电路,电连接于该I/O缓冲垫与该VSS电源接脚之间;一P型基底触发硅控整流器(P-STSCR),包含有一第一横向SCR以及一P型触发点,其阳极与阴极分别电连接至该I/O缓冲垫以及该VSS电源接脚;一第二ESD侦测电路,电连接于该I/O缓冲垫与该VDD电源接脚之间;以及一N型基底触发硅控整流器(N-STSCR),包含有一第二横向SCR以及一N型触发点,其阴极与阳极分别电连接于该I/O缓冲垫以及该VDD电源接脚;本发明可有效提升在深次微米CMOS制程中集成电路产品的ESD耐压能力,同时又可以节省总布局面积。

著录项

  • 公开/公告号CN100481667C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02143415.8

  • 发明设计人 柯明道;陈东旸;唐天浩;

    申请日2002-09-25

  • 分类号H02H9/00(20060101);H02H9/04(20060101);H01L23/60(20060101);H01L27/04(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈红

  • 地址 台湾省新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-19

    专利权的转移 IPC(主分类):H02H 9/00 登记生效日:20180103 变更前: 变更后: 申请日:20020925

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2009-04-22

    授权

    授权

  • 2003-07-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-04-30

    公开

    公开

  • 2003-04-30

    公开

    公开

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