低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用

摘要

对LVTSCR(LowVoltageTriggeredSiliconControlledRectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究。实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P-N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响。利用优化的LVTSCR结构,获得了6000V以上的ESD失效电压。