源/漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种源/漏区抬高的顶栅自对准结构的薄膜晶体管及其制作方法，在玻璃或柔性衬底上依次形成氧化物半导体有源层、栅介质层和栅电极，为减少短波长光照对薄膜晶体管关态特性的影响，氧化半导体有源层的厚度为5-20纳米；然后以栅电极为阻挡层刻蚀栅介质，使栅极对应的有源层为沟道区，两侧的有源层分别为源区和漏区，实现自对准；然后淀积低电阻率的导电薄膜，经过光刻、剥离或腐蚀后形成抬高的源区和漏区。本发明采用薄沟道并抬高源/漏区，既降低了光照对沟道的影响又减小了源区和漏区的电阻，提高了薄膜晶体管的性能。