自对准多晶硅化物工艺方法及半导体器件

摘要

本发明提供了一种自对准多晶硅化物工艺方法及半导体器件。根据本发明的自对准多晶硅化物工艺方法包括：硅化物沉积步骤，用于在半导体衬底上沉积硅化物；阻止层沉积步骤，用于沉积阻止层；自对准刻蚀步骤，用于对所述阻止层沉积步骤之后得到的结构进行自对准刻蚀；软蚀刻步骤；以及湿法清洗步骤，用于利用刻蚀溶液进行湿法清洗，其中自对准刻蚀之后的软蚀刻步骤对半导体器件进行刻蚀，湿法清洗步骤用非常稀浓度的酸，以在硅衬底中形成一个刻蚀凹部，而对浅沟槽隔离的氧化硅没有损伤。