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基于双光子吸收的硅波导光功率监控器

摘要

提供一种在不影响设备或系统性能的情况下监控波导内部的光功率的直接的方法,以代替监控从波导出来的光功率。波导包括p-i-n结构,所述p-i-n结构引起TPA产生的电流并且可以用反向偏置二极管增强。TPA电流可以通过探测设置在波导的顶部表面上的金属接触部来直接测量,并且可以使得能够进行晶圆级测试。可以在遍及集成的网络的期望的点处实施p-i-n结构,从而允许对不同设备进行探测,以用于原位功率监控和故障分析。

著录项

  • 公开/公告号CN103140743B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201180047209.8

  • 发明设计人 H·荣;I-W·A·谢;M·J·帕尼恰;

    申请日2011-09-27

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈松涛

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2013-07-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J3/00 申请日:20110927

    实质审查的生效

  • 2013-06-05

    公开

    公开

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