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公开/公告号CN103140743B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-25
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201180047209.8
发明设计人 H·荣;I-W·A·谢;M·J·帕尼恰;
申请日2011-09-27
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:31:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-25
授权
2013-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01J3/00 申请日:20110927
实质审查的生效
2013-06-05
公开
机译: 基于双光子吸收的硅波导光功率监控器
机译: 具有集成光功率监控器的基于载流子的硅波导谐振腔调制器
机译:集成了硅波导的光功率监控器,在1550 nm处具有增强的灵敏度
机译:基于绝热锥形硅波导的超宽带低损耗3 dB光功率分配器
机译:基于硅波导中四波混合的双光子吸收和自由载流子效应对时间透镜的影响
机译:硅肋波导中基于双光子吸收的光功率监控器
机译:一种基于量子阱波导光电二极管中电吸收的波长监控器。
机译:红外化学成像通过在基于硅的相机中的非退化双光子吸收
机译:基于硅线波导中双光子吸收的全光高速NOR门
机译:用于硅和复合半导体制造的在线氢化物气体过程监控器。阶段1