公开/公告号CN101958341B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-25
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201010229603.0
发明设计人 许俊豪;
申请日2010-07-13
分类号
代理机构北京德恒律师事务所;
代理人孙征
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:31:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-25
授权
授权
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20100713
实质审查的生效
2011-01-26
公开
公开
机译: 通过消除MOS器件的高K /金属栅极的界面层来扩展EOT
机译: 通过消除MOS器件的高K /金属栅极的界面层来扩展EOT
机译: 具有高k金属栅极的CMOS器件的部分牺牲伪栅极