机译:在没有界面层的Ge上使用超高真空沉积的高κ电介质有效地钝化和高性能的金属氧化物半导体器件
机译:等离子体氮化Ga 2 sub> O 3 sub>(Gd 2 sub> O 3 sub>)作为InGaAs金属氧化物的界面钝化层–带有HfTiON栅极电介质的半导体电容器
机译:使用超薄GeSnO_x膜作为表面钝化层的具有HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体器件的改进电性能
机译:Ingaas N-MOS设备使用ALD-HFO {SUB} 2 /金属栅极,没有表面清洁和界面层钝化
机译:开发了用于多阈值电压应用的n-MOS到p-MOS可调谐单金属栅极/高kappa绝缘体器件的创新制造方法。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:等离子渗氮Ga2O3(Gd2O3)作为具有HfTiON栅介质的InGaas金属氧化物半导体电容器的界面钝化层
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。