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被硼和氮代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管

摘要

提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管,该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。

著录项

  • 公开/公告号CN102285660B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201110164676.0

  • 申请日2011-06-20

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人金拟粲

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    授权

    授权

  • 2013-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B35/00 申请日:20110620

    实质审查的生效

  • 2011-12-21

    公开

    公开

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