Radiation Effects in Graphene Field Effect Transistors (GFET) on Hexagonal Boron Nitride (hBN).

著录项

• 作者

  Brickey, J. F.;

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• 作者单位

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• 年度 2017
• 页码 1-98
• 总页数 98
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Graphene; Field effect transistors; Radiation effects; Hexagonal boron nitride; Gfet(graphene field effect transistors); Radiation damage;

  机译：石墨烯;场效应晶体管;辐射效应;六方氮化硼; Gfet（石墨烯场效应晶体管）;辐射损伤;