形成有多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池

摘要

一种太阳能电池包括在多晶硅层的邻接部分中的毗邻的P型掺杂区(120)和N型掺杂区(121)。可以在薄电介质层(103)上形成多晶硅层，电介质层(103)形成在太阳能电池衬底(101)(例如，硅晶片)的背面上。多晶硅层具有相对较大的平均晶粒尺寸，以降低或消除在P型掺杂区(120)和N型掺杂区(121)之间的空间电荷区中的复合，从而增大效率。