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李海峰; 熊华; 刁宏伟; 郑怀德; 廖显伯;
中国科学院半导体研究所;
非晶硅; 太阳能电池; 光伏; 参数;
机译:半导体/金属背面接触对n(a-Si:H)/ i(a-Si:H)/ p(c-Si)异质结太阳能电池性能的影响
机译:Mu C-Si:H隧道重组结对A-Si:H / Mu C-Si:H串联太阳能电池性能的影响
机译:n / p隧道结对a-Si:H / a-Si:H /μc-Si:H三结太阳能电池性能的影响
机译:溅射ITO / Ag背面接触参数对a-Si:H /μc-Si:H太阳能电池性能的影响
机译:碲化镉/硫化镉太阳能电池从正面接触到背面接触:缓冲层和界面层。
机译:通过二维纳米图案化光敏层提高性能的薄膜a-Si:H /μc-Si:H串联太阳能电池
机译:背面接触A-Si:H / C-Si异质结构太阳能电池
机译:使用silvaco atlas进行交叉背面接触太阳能电池建模。
机译:互连太阳能电池的方法,包括根据互连的串联的背面接触太阳能电池,在第二和第三电气防护装置上分配背面接触太阳能电池,以接触背面引导的正面区域
机译:背面接触太阳能电池导电复合板及其制备方法,背面接触太阳能电池互连结构,双面背面触点太阳能电池组件
机译:金属合金粘接偶氮与AG对串联结电池背面接触的影响。
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