铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法

摘要

一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。本发明可以显著提高沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力，遏制缓冲层的漏电，同时降低势垒层的晶格应变，减少缺陷密度，提高器件工作的稳定性和可靠性。