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用于结实耐用封装的带有增强型上部接头结构的结型势垒肖特基二极管及其方法

摘要

一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极管。参照X-Y-Z坐标系,结型势垒肖特基二极管具有平行于X-Y平面的半导体衬底。位于半导体衬底上方的有源器件区,具有带有Z-方向电流的结型势垒肖特基二极管。半导体衬底上方的外围保护区包围着有源器件区。有源器件区具有有源下部半导体衬底以及在有源下部半导体结构上方的增强型有源上部接头结构。增强型有源上部接头具有顶部接触金属,向下延伸,并与增强型上部接头结构的底部电传导;顶部接触金属内嵌入的底部支撑结构由硬材料制成,嵌入底部支撑结构向下延伸到增强型上部接头结构的底部。当结型势垒肖特基二极管封装时,在顶部接触金属上方一旦产生接合力,那么嵌入底部支撑结构就会增强增强型上部接头结构抵御顶部接触金属可能的细微破裂,降低结型势垒肖特基二极管的漏电流。

著录项

  • 公开/公告号CN102881719B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201210238750.3

  • 发明设计人 安荷·叭剌;潘继;伍时谦;

    申请日2012-07-11

  • 分类号H01L29/40(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/329(20060101);

  • 代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张静洁;徐雯琼

  • 地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号

  • 入库时间 2022-08-23 09:30:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-19

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/40 登记生效日:20200428 变更前: 变更后: 申请日:20120711

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-11-04

    授权

    授权

  • 2013-02-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/40 申请日:20120711

    实质审查的生效

  • 2013-01-16

    公开

    公开

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