一种再生长填槽式GaN基结型势垒肖特基二极管结构及实现方法

摘要

本发明公开了一种再生长填槽式GaN基结型势垒肖特基二极管结构及制作方法，本发明属于微电子技术领域，涉及电力电子器件制作。所述结构包括GaN自支撑衬底、n‑‑GaN漂移区、P型GaN区、掩膜介质层、槽型结构、再生长的n‑‑GaN区、阴极金属和阳极金属。在GaN自支撑衬底上同质外延n‑漂移区，并在该结构上形成掩膜介质层、槽型结构，再生长n‑‑GaN部分或者全部填平槽型结构并淀积阳极、阴极金属。本发明能够在n‑‑GaN漂移区上形成有效的PN结，在反偏大电压下，PN结能有效调节电场分布，降低金属半导体界面电场，抑制结漏电，提高器件的击穿电压，拓展了GaN基垂直结构肖特基二极管的应用范围。