一种纵向导通型GaN基沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种新型的纵向导通型GaN（氮化镓）基沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法。一种纵向导通型GaN基沟槽结势垒肖特基二极管，其中，由下往上依次包括覆盖衬底底面的欧姆接触金属阴极；n型重掺杂GaN自支撑衬底；第一外延层：n型轻掺杂GaN层——电子漂移层；第二外延层：n型轻掺杂GaN台——n型垂直沟道层（台与台之间形成沟槽结构）；第三外延层：沟槽内的p型GaN层；覆盖p‑GaN层顶部的欧姆接触阳极合金层A；覆盖n‑GaN台顶部的肖特基接触阳极金属层B；器件隔离层；表面钝化层。