一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明属于半导体功率电子器件技术领域，更具体地，涉及一种垂直型GaN基凹槽结势垒肖特基二极管及其制作方法。器件结构由下往上依次包括：覆盖衬底的欧姆接触电极‑二极管阴极；GaN自支撑衬底；n型低载流子浓度区域‑器件漂移区，包括第一漂移区和位于器件第一漂移区之上的器件第二漂移区；与器件第二漂移区交错排列的p型GaN区域；与器件第二漂移区形成肖特基接触的电极‑二极管阳极。本发明通过外延的方法形成p型GaN区域，获得高载流子浓度的p型GaN；通过对p‑GaN刻蚀后再选区外延生长器件漂移区的方法，形成GaN基凹槽型JBS，获得了高的p‑GaN深度，因此反向偏压下增强了pn结对肖特基结的屏蔽效果，减小了器件反向漏电，提高了器件击穿电压。