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立式器件中背面欧姆触点的低温形成方法

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摘要

本发明包括一种形成用于具有多个外延层(14a-c)的半导体器件(10)中的金属-半导体欧姆触点(18)的方法，其中欧姆触点(18)优选在淀积外延层(14a-c)之后形成。本发明还包括具有多个外延层及欧姆触点的半导体器件。

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1. 立式器件中背面欧姆触点的低温形成方法 [P] . 中国专利： CN1178277C . 2004.12.01
2. 用于垂直器件的背部欧姆触点的低温形成方法 [P] . 中国专利： CN1579008B . 2010.04.28
3. Selective low-temperature ohmic contact formation method for group III-nitride heterojunction structured device [P] . 美国专利： US8921220B2 . 2014-12-30

机译： III族氮化物异质结结构器件的选择性低温欧姆接触形成方法
4. SELECTIVE LOW-TEMPERATURE OHMIC CONTACT FORMATION METHOD FOR GROUP III-NITRIDE HETEROJUNCTION STRUCTURED DEVICE [P] . 美国专利： US2013252410A1 . 2013-09-26

机译： III族-氮化物异质结结构器件的选择性低温欧姆接触形成方法
5. Device structures including backside contacts, and methods for forming same [P] . 美国专利： US7816231B2 . 2010-10-19

机译：包括背面触点的器件结构及其形成方法