公开/公告号CN102339846B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-07
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN201010233479.5
申请日2010-07-19
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2022-08-23 09:29:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-07
授权
授权
2012-03-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/24 申请日:20100719
实质审查的生效
2012-02-01
公开
公开
机译: 具有控制栅极驱动器晶体管的非易失性半导体存储器,该控制栅极驱动器晶体管的栅极绝缘体厚度大于选择栅极驱动器晶体管的厚度
机译: 具有MOS晶体管的半导体存储器件和存储卡,该MOS存储器件分别具有浮置栅极和控制栅极,并且该存储卡具有
机译: 具有MOS晶体管的半导体存储器件和存储卡,该MOS存储器件分别具有浮置栅极和控制栅极,并且该存储卡具有