公开/公告号CN102856225B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-09
原文格式PDF
申请/专利权人 顺德中山大学太阳能研究院;
申请/专利号CN201210292898.5
申请日2012-08-16
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构44104 广州知友专利商标代理有限公司;
代理人李海波
地址 528300 广东省佛山市顺德大良新城区德胜东路1号
入库时间 2022-08-23 09:29:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20180830 变更前: 变更后: 申请日:20120816
专利申请权、专利权的转移
2015-09-09
授权
授权
2015-09-09
授权
授权
2013-02-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20120816
实质审查的生效
2013-02-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20120816
实质审查的生效
2013-01-02
公开
公开
2013-01-02
公开
公开
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机译: 一种在高密度等离子体蚀刻设备中选择性地蚀刻未掺杂的二氧化硅的掺杂二氧化硅的方法
机译: 一种光电组件,主要由掺杂或未掺杂的多组分半导体组成,该半导体具有至少一种组分或至少一种掺杂剂的梯度
机译: 生产方法例如两级选择性太阳能电池发射极,涉及在半导体本体的表面上产生掺杂剂源,构造掺杂剂源,以及将来自结构化掺杂剂源的掺杂剂插入半导体本体中