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消除金属化学汽相淀积期间的边缘效应的方法

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一种消除在半导体基片(22)表面(26a，26b)上化学汽相淀积例如铜等金属时的边缘效应的方法。反应室(46)内的基座(20)暴露于等离子体。其上容纳且利用化学汽相淀积法处理的基片(22)在边缘(44)和非边缘表面(28)上具体均匀金属层。在将基座(20)再次暴露于等离子体之前，可以处理多个基片(22)。

著录项

公开/公告号CN1174471C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-11-03

原文格式PDF
申请/专利权人东京电子公司;
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申请/专利号CN98813226.5
发明设计人尚塔尔·阿里纳;罗纳德·贝特伦;伊曼纽尔·圭多蒂;
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申请日1998-11-18
分类号H01L21/285;
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人甘玲
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:57:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/285 授权公告日:20041103 终止日期:20141118 申请日:19981118

专利权的终止
2004-11-03

授权

授权
2001-02-21

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-02-14

公开

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