晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法

摘要

本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法，该制备方法包括以下步骤：准备N-型衬底，对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理，形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理，形成P基区。进行N+预沉积处理形成N+层，进行门极刻蚀处理，刻蚀掉门极位置上方的N+层。对N+层进行N+推进处理，形成二层台阶结构的门阴极结。进行金属沉积和刻蚀处理，分别形成阴极金属电极和门极金属电极。本发明晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强了晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。