利用循环CVD或ALD制备金属氧化物薄膜

摘要

本发明涉及利用循环CVD或ALD制备金属氧化物薄膜。一种在基底上制备金属氧化物膜的循环沉积方法，它包括如下步骤：将金属酮亚胺盐引入沉积室，并在加热的基底上沉积金属酮亚胺盐；吹扫沉积室，以去除未反应的金属酮亚胺盐和任何副产物；将含氧源引至加热的基底；吹扫沉积室以去除任何未反应的化学物质以及副产物；并且重复循环该沉积工艺，直至形成了所需厚度的金属氧化物膜。