p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，绝缘层的边界不超出n-型Ge基底的边界；在绝缘层上覆盖石墨烯接触电极，石墨烯接触电极的边界不超出绝缘层的边界；在石墨烯接触电极上铺设p-型石墨烯薄膜，p-型石墨烯薄膜一部分与石墨烯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n-型Ge基底上表面未覆盖绝缘层的部分形成肖特基接触，p-型石墨烯薄膜的边界不超出n-型Ge基底电极的边界。本发明近红外光电探测器的开关比大、响应速度快、暗电流噪声小。