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半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法

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本发明提供半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法。所述半导体晶片表面保护用胶带为在对半导体晶片的背面进行磨削时所用的表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，该粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，是厚度薄于上述半导体晶片的表面凹凸的粘合剂层，利用下式(1)求得的胶粘力的变化率为30%以上。式(1)[Tα-Tβ(空气)]÷[Tα-Tβ(N

著录项

公开/公告号CN103525323B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-29

原文格式PDF
申请/专利权人古河电气工业株式会社;
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申请/专利号CN201310278526.1
发明设计人荒桥知未;横井启时;
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申请日2013-07-04
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人丁香兰
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:28:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-07-29

授权

授权
2014-02-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C09J 7/02 申请日:20130704

实质审查的生效
2014-01-22

公开

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1. 半导体晶片表面保护用胶带和使用了该胶带的半导体晶片的制造方法 [P] . 中国专利： CN103525323B . 2015.07.29
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