一种深沟槽超级PN结的形成方法

摘要

本发明涉及深沟槽超级PN结的形成方法。该方法包括：在衬底上沉积外延层的沉积步骤；在外延层上依次形成第一介质层、第二介质层的介质形成步骤；在外延层形成深沟槽的深沟槽形成步骤；对深沟槽填充外延材料以充满整个深沟槽并且超过第二介质层的规定高度的填充步骤；利用刻蚀气体刻蚀外延材料、第一介质层和第二介质层直至第一介质层和外延材料的界面处的刻蚀步骤；去除第一介质层、第二介质层以实现外延材料的平坦化的去除步骤。利用本发明，能够使用与现有的工艺兼容的方法实现硅的平坦化，具有工艺简单、效率高、工艺成本低的优点，并能够有效避免利用CMP导致的Si器件参数不稳定的问题。