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一种基于二端子激励测量模式的电压-电流映射构造方法

摘要

本发明涉及一种基于二端子激励测量模式的电压-电流映射的构造方法,针对电学层析成像中具有N个电极的传感器的二端子激励测量模式,给出了二端子激励测量模式和相邻激励测量模式之间的关系,通过计算阻抗矩阵、电流密度矩阵等参数,由所推导出的公式,计算得到唯一且确定的电压-电流映射矩阵,构造出基于二端子激励测量模式的电压-电流映射。本发明给出了基于二端子激励测量模式的电压-电流映射的直接构造方法,该方法简单易行,可应用于电学层析成像领域的直接重建算法中,它给出了电压-电流映射直接的物理意义。

著录项

  • 公开/公告号CN103149472B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201310042104.4

  • 发明设计人 曹章;徐立军;孙世杰;黄驰;

    申请日2013-02-01

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2013-07-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/00 申请日:20130201

    实质审查的生效

  • 2013-06-12

    公开

    公开

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