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公开/公告号CN103022214B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201210576133.4
发明设计人 刘洪刚;郭浩;陈洪钧;张雄;常虎东;薛百清;韩乐;王盛凯;
申请日2012-12-26
分类号H01L31/101(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:27:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-17
授权
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20121226
实质审查的生效
2013-04-03
公开
机译: 低温外延和绝缘体封顶退火的超薄高质量硅基锗
机译: 低温外延和绝缘子封顶退火处理的超薄高质量硅基锗
机译: 用于生产锗硅层的三苯甲基苯丙氨酸和三甲基硅基三甲基锗烷以及由三甲基硅基三苯甲基锗制备的方法
机译:HgCdTe(211)B在锗衬底上的分子束外延异质外延红外探测器
机译:高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长
机译:纳米级NiSi和n型硅基肖特基势垒二极管用作室温操作的近红外探测器
机译:基于微晶硅锗的近红外探测器和太阳能电池
机译:分子束外延生长用于中红外探测器的应变工程锗锡合金。
机译:硅基硅锗锗异质结构光子学
机译:绝缘体锗(GOI)材料和硅基锗波导光电探测器的研究
机译:用于封闭杂质带远红外探测器的超纯锗外延层的开发