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具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法

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摘要

一种具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法，所述方法包含以下步骤：首先，制备一层第一基板，接着，于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaO

1. 具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法 [P] . 中国专利： CN102569028B . 2015.06.17
2. 具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法 [P] . 中国专利： CN102569551B . 2014.12.17
3. Sacrificial layer etching method and sacrificial layer etching structure, and corresponding sacrificial layer etching structure manufacturing method [P] . 德国专利： DE102016200504A1 . 2017-07-20

机译：牺牲层蚀刻方法和牺牲层蚀刻结构，以及相应的牺牲层蚀刻结构的制造方法
4. MULTILAYER STRUCTURE WAFER HAVING THICK SACRIFICIAL LAYER USING POROUS SILICON OR POROUS SILICON OXIDE, AND MANUFACTURE OF THE WAFER [P] . 日本专利： JP2000332223A . 2000-11-30

机译：使用多孔硅或氧化硅的多层结构晶圆具有厚的牺牲层，并且晶圆的制造
5. Method for manufacturing micromechanical structure, involves applying sacrificial layer on substrate, applying sacrificial layer on function layer, and applying another sacrificial layer on function layer [P] . 德国专利： DE102008040522A1 . 2010-01-21

机译：制造微机械结构的方法，包括在衬底上施加牺牲层，在功能层上施加牺牲层，以及在功能层上施加另一个牺牲层。