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提高双倍数据速率同步随机存储器读写速率的方法及装置

摘要

本发明提供了一种提高DDR SDRAM读写速率的方法及装置,该方法包括:接收对应数据包读请求的读地址,将所述读地址按存储体(bank)号缓存在对应的第一先进先出队列(FIFO)中;从所述第一FIFO中的一个第一FIFO首次读出一个读地址后,如该第一FIFO中的下一个读地址与首次读出的该读地址属于同行地址,则继续读该第一FIFO,否则,按轮询的方式读下一第一FIFO。上述提高DDR SDRAM读写速率的方法及装置,降低了实现难度,提高了现场可编程门阵列(FPGA)项目的可实现性和调整力度,利用有限的资源大大提高了DDR SDRAM的读写效率。

著录项

  • 公开/公告号CN102103548B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中兴通讯股份有限公司;

    申请/专利号CN201110042297.4

  • 发明设计人 黄苏;

    申请日2011-02-22

  • 分类号

  • 代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;

  • 代理人李健

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-09

    专利权的转移 IPC(主分类):G06F 12/08 登记生效日:20151118 变更前: 变更后: 申请日:20110222

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-06-10

    授权

    授权

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/08 申请日:20110222

    实质审查的生效

  • 2011-06-22

    公开

    公开

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