公开/公告号CN102593162B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-24
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201210005678.X
发明设计人 蔡铭宪;
申请日2012-01-05
分类号
代理机构北京德恒律师事务所;
代理人陆鑫
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:26:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-24
授权
授权
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/36 申请日:20120105
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
机译: ESD保护器件,包括该ESD保护器件的半导体器件及其制造方法
机译: 半导体器件和包括ESD保护器件的集成电路,ESD保护器件以及制造该半导体器件的方法
机译: 半导体器件和包括ESD保护器件的集成电路,ESD保护器件以及制造该半导体器件的方法