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微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管技术领域,提供了一种微晶非晶硅复合型薄膜晶体管及其制造方法,采用微晶层和非晶硅层复合而成的有源层,大大提高了器件电学性能,克服了现有的技术瓶颈,制备出了性能稳定且漏电流较低的底栅结构微晶非晶硅复合型TFT;同时大大缩短了其生产时间并简化了生产工艺,可有效适用于有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)及低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(LTPS TFT-LCD)等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN102651399B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201110202456.2

  • 发明设计人 田雪雁;龙春平;姚江峰;

    申请日2011-07-19

  • 分类号H01L29/786(20060101);H01L29/04(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人王莹

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-17

    授权

    授权

  • 2012-10-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20110719

    实质审查的生效

  • 2012-08-29

    公开

    公开

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